华业天成重点投资企业-全球领先的氮化镓IDM企业英诺赛科
11月20日，英诺赛科（苏州）全球研发中心正式启用，将打造成为新型宽禁带半导体材料与器件研发基地，同时开展大规模量产化工程问题研究，提升氮化镓材料与器件的整体竞争力。
美国国家工程院院士、中国工程院外籍院士李泽元，苏州市吴江区委书记李铭，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司董事长骆薇薇
英诺赛科董事长骆薇薇女士在致辞中提到：“研发中心并不是一栋普通的大楼，它承载了英诺赛科创业的初心，凝聚了英诺赛科人一路走来的坚定，它的启用时刻正是所有英诺赛科人心中梦想的绽放时刻！当前，英诺赛科已经做到了氮化镓器件累计出货数量全球第一、市场份额全球第一、量产交付能力全球第一，未来我们也将挑战和创造更多项第一。截至2023年11月，英诺赛科已经成为全球消费类领域最大的氮化镓供应商，并正在引领氮化镓在数据中心，和汽车电子等领域的推广与合作。”
据了解，研发中心建筑面积3.5万平方米，将围绕“新一代信息功能材料及功率器件”和“战略型新兴产业”需求，重点发展第三代宽禁带半导体氮化镓材料及器件，致力于打造一个国际领先技术水平的技术及产品研发平台，包括芯片设计实验室、氮化镓外延材料实验室、芯片制造实验室、产品开发实验室、产品检测及可靠性分析实验室等。开展大尺寸Si衬底上GaN基异质结构中的应力控制规律与杂质缺陷研究、8英寸Si衬底上GaN基功率电子器件的产业化关键制备工艺及封装技术的研究、Si衬底上GaN基功率电子器件的可靠性提升技术及功率集成技术研究等。
同日还举办了“8英寸硅基氮化镓芯片生产线建设项目第二阶段产能扩展”项目（即三期银团）贷款签约仪式。
据介绍，中国农业银行股份有限公司苏州长三角一体化示范区分行将牵头组建银团向英诺赛科提供八年期、最高达13亿元人民币的项目融资贷款，以用于支持英诺赛科未来两年的扩产计划。
11月19日下午，由英诺赛科主办的同期活动“氮化镓技术发展论坛”也在苏州知音温德姆酒店举办。论坛邀请了中国工程院外籍院士、美国国家工程院院士Dr. Fred Lee李泽元博士，北京大学沈波教授等多位在氮化镓领域有着丰富科研经验和应用成果的专家学者与头部企业代表进行主题分享。
弗吉尼亚理工大学Dr. Fred Lee李泽元院士现场分享题为《Is GaN a Game Changer?》的报告，在报告中，李泽元博士指出氮化镓在促进电力电子发展方面已经取得重大成果，相信在不久的将来，随着性能的提升，氮化镓将是一个颠覆行业的游戏主导者。
出货量第一：截至2023年8月，其氮化镓芯片出货量成功突破3亿颗； 2017年11月，其自主研发的中国第一条8英寸硅基氮化镓生产线在珠海通线投产； 英诺赛科被国家四部委列入重点支持的0.25微米以下的集成电路企业，其苏州8英寸硅基氮化镓工厂是国内第一个通过国家发改委窗口指导 2022年，GaN HEMT器件出货量率先突破1亿颗； 在国内第一个将低压GaN器件应用在激光雷达中； 全球首个将氮化镓植入手机内部，实现电源分配管理。
